Технические характеристики

• Производитель Infineon (IRF)
• Тип транзистора P-MOSFET x2
• Технология HEXFET®
• Полярность полевой
• Напряжение сток-исток -55В
• Ток стока -3,4А
• Рассеиваемая мощность 2Вт
• Корпус SO8
• Напряжение затвор-исток ±20В
• Сопротивление в открытом состоянии 105мОм
• Монтаж SMD
• Заряд затвора 26нC