Технические характеристики

• Структура – n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 45 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: SOT-223