Полупроводниковые интегральные микросхемы КР159НТ1А предназначаются для работы в радиоэлектронной аппаратуре в качестве базовой схемы дифференциального усилителя. Схема имеет аналог с маркировкой 2N4042. Микросхема выполнена по техническим условиям КФУЛ.431136.010ТУ.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-база: 20 В
• Напряжение эмиттер-база: 4 В
• Напряжение между транзисторами: 20 В
• Ток коллектора постоянный: 10 мА
• Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс): 40 мА
• Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С): 50 мВт