Технические характеристики

• Вид монтажа: Through Hole
• Пиковая длина волны: 900 nm
• Темновой ток: 2 nA
• Vr – обратное напряжение: 60 V
• Время нарастания: 100 ns
• Время спада: 100 ns
• Угол половинной интенсивности: 65 deg
• Минимальная рабочая температура: – 40 C
• Максимальная рабочая температура: + 100 C
• Высота: 2 mm
• Длина: 4.5 mm
• Упаковка: Tube
• Ширина: 4.3 mm
• Торговая марка: Vishay Semiconductors
• Эквивалентная мощность шума (NEP): 4E-14 W/sqrt Hz
• Pd – рассеивание мощности: 215 mW
• Фототок: 70 uA
• Тип продукта: Photodiodes
• Подкатегория: Optical Detectors and Sensors